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光斑尺寸转换器

光波导本征模扩展(EME)
2026-07-22 10:59:13

前言

波导是集成光子芯片中的基本元件,用于在芯片内部传输光信号。然而,波导与光纤的模场尺寸通常相差很大,直接对接将导致较高的耦合损耗。因此,常采用光斑尺寸转换器(Spot Size Converter,SSC)作为中间过渡结构。本征模扩展(Eigenmode Expansion,EME)求解器基于模式耦合理论,能够将任意输入光场高效分解为波导横截面的本征模式线性组合,并结合边界条件在频域中求解麦克斯韦方程,精确计算模式间的耦合与演化。该方法尤其适用于纵向截面缓慢变化、但传输距离很长的波导结构,能够高效处理锥形波导的设计与长度优化。本文基于参考文献[1],利用 EME 求解器仿真了一种基于锥形波导及聚合物覆盖层的光斑尺寸转换器。

structure

仿真设置

结构模型

光斑尺寸转换器由衬底、输入端波导、锥形波导以及覆盖在锥形波导上方的低折射率聚合物波导构成。由于低折射率聚合物波导与锥形波导及部分输入波导在空间上重叠,需要通过设置网格顺序(mesh order)来控制重叠部分材料的选择。网格顺序越大,材料等级越高,因此,输入波导和锥形波导的 mesh order 需要大于低折射率聚合物波导的数值 mesh order,例如将输入波导和锥形波导的 mesh order 设置为 11 ,低折射率聚合物波导的 mesh order 设置为 00 。具体设置步骤为:选中结构,右键打开编辑窗口,切换到 Material 标签页,勾选 override mesh order(默认不激活),并设置网格顺序的等级数,如下图所示。

Mesh_order_setting

在 EME 求解器设置中,需要建立三个单元格组(cell groups),分别对应输入波导、锥形波导和输出波导区域。对于截面不变的区域(如输入、输出波导),每个单元格组可仅设置 1 个单元;而在截面缓慢变化的锥形波导区域,则需要较多的单元来精确解析结构的变化,具体设置如下图所示。另外,由于结构不包含任何周期区域,可以忽略设置中的周期性部分,关于周期结构的设置可以参考光纤布拉格光栅案例。

EME_setting

仿真结果

EME 方法将波导划分为若干片段,每个片段内求解本征模式,并通过模式匹配严格计算模式间的耦合与传输,特别适合横截面沿传播方向不变或缓慢变化、但传输距离很长的波导结构(如锥形波导)。打开附件中的 spot_size_converter.mpps 工程,在脚本控制台运行run; emepropagate命令,仿真完成后即可在监视器中查看结果。若要改变锥形波导长度,无需重建几何模型,只需在 EME Analysis Window 中修改第二个单元格组的长度,然后点击EME Propagate按钮或在脚本控制台运行emepropagate命令,即可快速获得新长度下的结果。下图给出了锥形波导长度为 10 μm10\ \text{μm}100 μm100\ \text{μm} 时 XZ 平面的电场分布。

profile_XZ

若要获取锥形波导长度与透射率的关系,可使用 EME 的 Propagation Sweep 功能。在 EME Analysis Window 中,勾选 Propagation sweep,Parameter 选择 group span 2,设置长度扫描范围为 10 μm10\ \text{μm}200 μm200\ \text{μm},扫描点数设为 191191,如下图所示。得益于 EME 模式匹配算法的高效性,整个长度扫描耗时极短,通常仅需数秒,相较 FDTD 方法速度更快。点击 Propagation sweep 按钮,扫描结果将自动存入 EME 的 S 矩阵。

sweep_setting

sweep_result

对于本案例的光斑尺寸转换器,需要提取 Port 1 处硅波导基模到 Port 2 处聚合物波导基模的功率传输系数,即 S212|\text{S}21|^2。由于器件具有对称性,也可通过 S122|\text{S}12|^2 获得相同结果。点击Visualize propagation sweep可查看透射率曲线,或运行附件脚本 spot_size_converter.msf 直接绘图。下图展示了透射率随长度的变化,曲线受阶梯效应影响略有波动。

transmission

受限于 Courant 稳定性条件,FDTD 求解器在处理大规模、长距离光传播仿真时,仿真时间会随结构尺寸迅速增长。相比之下,EME 方法专为平面波导结构设计,适合锥形波导的设计与优化,已成为集成光学器件研发中模拟复杂波导系统传输特性的重要工具。

参考文献

[1] T. Tsuchizawa et al., "Microphotonics devices based on silicon microfabrication technology," IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 11(1), 232-240 (2005).