EME仿真控制面板
EME 控制面板 #
本节介绍本征模扩展 (Eigenmode Expansion, EME) 求解器的仿真控制面板。
其控制面板各按钮功能如下图所示:

| Name | Description | |
|---|---|---|
| Design | To design | 切换回设计视图。 |
| Graphics | Translucent | 设置结构的透明度;1 代表不透明,0 代表完全透明。 |
| Hide material | 隐藏视图中的材料结构;勾选后启用。 | |
| Hide fields | 隐藏视图中的场分布;勾选后启用。 | |
| Progress | Status | 显示当前仿真状态与进度。 |
| Run EME | 运行 EME 仿真,得到监视器以及各单元和端口的本征模结果。 | |
| Tool | 控制仿真数据文件的打开与清除。 | |
| EME propagate | As source port | 选择作为光源输入的端口。 |
| Incident mode ID # | 指定输入光源的模式序号(如 1、2 等)。 | |
| EME propagate | 点击此按钮,将根据用户指定的输入模式,计算并输出各端口的 S 参数矩阵。 |
EME 功能区 #
EME 求解器的功能区提供三个主要功能:EME Port、Monitor 和 Mesh。
- EME Port:用于添加端口组,其设置方式与常规端口基本一致。
- Monitor:用于添加场轮廓监视器(EME Profile)和折射率监视器(Index)。
- Mesh:用于在 EME 仿真区域内添加自定义网格。

EME Port #
点击 EME Port 后,会添加一个 EME Port Group ,组内默认包含两个端口。关于该端口组的详细设置如下所述。
几何尺寸 #
EME Port Group 的几何范围默认与 EME 求解器区域完全重合。用户可手动选择输入端口位于 EME 求解器区域的左侧或右侧。还可通过设置组内每个端口的 Geometry 参数,调整端口的宽度。

光源属性 #
EME Port Group 中关于光源属性 (Source Properties) 的设置用于定义光源的注入方式。

| Name | Description |
|---|---|
| As source port | 从下拉列表中选择当前组内的哪个端口作为光源注入端口。 |
| Incident mode ID # | 指定注入光源的模式序号。该序号对应于该端口计算出的本征模式编号(从1开始)。 |
监视器属性 #
Monitor properties 用于设置端口作为监视器时的记录属性。

| Name | Description |
|---|---|
| Data type | 记录数据的类型,此处为Frequency-domain(频域),为只读参数。 |
| Spatial sampling | 空间采样。设置空间采样分辨率。 |
| Spatial resolution | 设置传播方向上的分辨率,默认为100。 |
端口设置 #
右键点击 EME Port Group 中的单个端口,可进入其详细属性进行配置。其中大部分设置与普通端口一致,详情可参考端口设置。

Monitors #
EME 求解器中目前包含两种监视器:场轮廓监视器(EME Profile)用于记录沿传播方向的场分布,折射率监视器(Index)用于记录波导结构的折射率分布。此外,器件的端口透射与反射特性可通过下文“EME 结果”中的 S 参数矩阵获取,该矩阵反映了各端口间不同模式的传输、反射及模式转换信息。
EME Profile #
该监视器用于查看仿真区域内沿传播方向的电磁场分布,其基本设置与 FDFP 监视器一致,详情见FDFP监视器。对于 MMI 器件,该监视器可以直观显示电磁场在器件中的传播,结果如下图所示:

Index #
该监视器用于查看指定区域内的相对折射率分布,其基本设置与 FDTD 求解器中的 Index 监视器一致。详细信息请参考折射率监视器的设置。
Mesh #
该选项允许用户添加自定义网格,其基本设置与 FDTD 求解器中的自定义网格一致。详细信息请参考自定义网格的设置。
EME 结果 #
EME 求解器的仿真结果主要包含以下三部分内容:
- S 参数结果:点击 EME propagate 按钮运行得到结果,保存在 EME 求解器中,提供两组 S 矩阵结果:Internal S Matrix 和 User S Matrix。
- 监视器数据:包括场轮廓监视器(EME Profile)记录的场分布,以及折射率监视器记录的折射率分布。
- 单元与端口模式信息:每个单元求解得到的本征模式信息(如有效折射率、模式场分布等),以及端口处作为监视器记录的模式场数据。
以下详细介绍 EME 求解器的各类结果。
Internal S Matrix #
Internal S Matrix 是基于 EME 算法中所有单元界面计算得到的本征散射矩阵。仿真时,EME 求解器将器件沿传播方向划分为多个单元,并计算每个单元界面处所有可能存在的模式之间的透射和反射系数。通过级联这些单元界面的 S 矩阵,最终获得整个器件的 Internal S Matrix。该矩阵包含了输入和输出端口处所有可能模式之间的完整响应,是反映器件本征特性的广义散射矩阵。

User S Matrix #
User S Matrix 是基于用户在端口处选择的特定模式计算得到的 S 参数结果。用户可在器件的输入和输出端口指定感兴趣的模式(如 TE0、TM0 等),仿真结果仅针对这些选定的端口模式给出 S 矩阵。User S Matrix 的维度取决于端口数量及每个端口选择的模式数量。例如,对于一个三端口器件,若每个端口选择一种模式,则得到 3×3 的 S 矩阵,其中包含反射系数(如 S11)和透射系数(如 S21)。

更进一步的,以两端口器件为例,若在每个端口各选择两个模式进行计算,将得到一个 4×4 的 S 矩阵,其结果在软件中如下图所示:

该 4×4 S 矩阵的索引遵循以下图中所示规则。矩阵中的每个元素 Smn 表示从输入端口/模式的组合 n 到输出端口/模式的组合 m 的传输系数。

| Name | Description |
|---|---|
| S11 | 输出端口1模式1对于输入端口1模式1的反射系数。 |
| S12 | 输出端口1模式1对于输入端口1模式2的反射系数。 |
| S13 | 输出端口1模式1对于输入端口2模式1的透射系数。 |
| S14 | 输出端口1模式1对于输入端口2模式2的透射系数。 |
| S21 | 输出端口1模式2对于输入端口1模式1的反射系数。 |
| ... | ... |
| S33 | 输出端口2模式1对于输入端口2模式1的反射系数。 |
| ... | ... |
| S44 | 输出端口2模式2对于输入端口2模式2的反射系数。 |
单元与端口结果 #
在 EME 仿真中,每个单元独立求解本征模式,这些模式信息是构成 S 参数的基础。用户可以查看单个单元的结果数据:
| Name | Description |
|---|---|
| neff | 每个模式的有效折射率。 |
| neff_TE | 该模式的 TE 偏振相似度。 |
| neff_TM | 该模式的 TM 偏振相似度。 |
| index | 当前单元的折射率分布数据(空间坐标的函数)。 |
| Mode Fields | 每个模式在单元横截面上的场分布图,用于可视化模场形状及能量分布。 |
| TE Fraction | 每个模式的 TE 偏振占比(0 到 1),表示模式能量中 TE 分量所占的比例。 |
| mode selection | 用户在此单元选择的模式序号。 |
| overlap | 当前单元各模式与相邻单元各模式之间的重叠积分,用于分析模式在不同单元的耦合。 |
| S | 描述当前单元与下一个单元之间,不同模式的 S 参数矩阵。 |

端口通常位于 EME 仿真区域的边界,同样可以获得端口所在位置的模式信息。因此,端口的结果数据类型与单元结果数据类型基本相同。


